Transistors à effet de champ
UN transistor à effet de champ (FET) se compose d'un canal de N- ou matériau semi-conducteur de type P à travers laquelle le courant peut circuler, avec un autre matériau (prévue à travers une section du canal) commandant la conductivité du canal.
Une extrémité de la chaîne est connue sous le la source, l'autre extrémité de la chaîne est appelé le égoutter, et le mécanisme de commande est appelé le porte. En appliquant une tension à la grille, de contrôler le flux de courant depuis la source vers le drain. Contacts sont attachés à la source, de drain et de grille. Certains FET comprennent une quatrième avance de sorte que vous pouvez fonder une partie de la FET au châssis du circuit. (Mais ne confondez pas ces créatures à quatre pattes avec MOSFET à double grille, qui ont également quatre pistes.)
FET (prononcé "Fetts») sont disponibles en deux saveurs - à canal N et canal P - selon le type de matériau semi-conducteur (de type N ou de type P, respectivement) à travers laquelle le courant passe. Il existe deux principaux sous-types de FET: MOSFET (métal-oxyde-semiconducteur FET) et JFET (FET). Ce qui est dépendant de la manière dont la grille est construite - ce qui se traduit, à son tour, dans des propriétés électriques différentes et des utilisations différentes pour chaque type.
FET (notamment MOSFETs) sont devenus beaucoup plus populaire que des transistors bipolaires à utiliser dans circuits intégrés (CI), Où des milliers de transistors travaillent ensemble pour accomplir une tâche. Cela est parce qu'ils sont des dispositifs à faible puissance dont la structure permet à des milliers de N- et MOSFET canal P pour être entassés comme des sardines sur une seule pièce de silicium (qui est, matériau semi-conducteur).
Les décharges électrostatiques (ESD) peut endommager FET. Si vous achetez FET, assurez-vous de les garder dans un sac ou un tube antistatique - et les y laisser jusqu'à ce que vous soyez prêt à les utiliser.
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